Definition

Phase-Change Memory (PCM)

Phase-Change Memory (PCM) ist eine Form von RAM (Random-Access Memory) in Computern, die Daten speichert, indem ihr ursprünglicher Entstehungszustand geändert wird. Dabei kann die Materialstruktur schnell auf einer mikroskopischen Skala hin und her wechseln zwischen „amorph“ und „kristallin“. In der amorphen oder gestörten Phase ist das Material durch hohen elektrischen Widerstand gekennzeichnet, während in der kristallinen oder direkten Phase der Widerstand reduziert ist. Diese verschiedenen Phasen erlauben es, elektrischen Strom an- oder auszuschalten, indem digital hohe oder niedrige Zustände repräsentiert werden. Erste Prototypen von PCM-Chips sind von IBM, Infineon, Samsung, Macronix und anderen Herstellern getestet worden.

Glaubt man ihren Verfechtern, hat die PCM-Technologie das Potenzial, einen günstigen und sehr schnellen nicht-flüchtigen Speicher zur Verfügung zu stellen – mit beispielloser Skalierbarkeit, hoher Dichte und großem Volumen. Die physische Struktur ist drei-dimensional aufgebaut, wodurch die Anzahl an Transistoren, die auf einen Chip mit fester Größe passen, enorm gesteigert wird. PCM wird manchmal auch „perfect RAM“ (PRAM) genannt, weil man Daten überschreiben kann, ohne sie vorher löschen zu müssen. Dies ermöglicht es PCM, sehr viel schneller zu funktionieren als konventionelles Flash-Memory und dabei weniger Energie zu verbrauchen. Außerdem erwartet man, dass PCM-Chips wesentlich länger halten als die gegenwärtig verfügbaren Chips für Flash-Memory und dass sie bei einer Massenproduktion sogar billiger sein werden.

Die Abkürzung PCM wird auch für Pulse Code Modulation benutzt, und die Abkürzung PRAM steht auch für Parameter RAM.

Im Consumer-Markt, bei Smart Phones und hochkapazitativen USB-Sticks werden bereits nur noch die Standard-PCMs verbaut. Seit Ende 2015 gibt es Enterprise-PCMs auf dem Markt, die sich für den Einsatz im Datacenter-Umfeld eignen.

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Diese Definition wurde zuletzt im Dezember 2015 aktualisiert

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