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Flash Memory Summit: Anbieter übertrumpfen sich

Auf dem Flash Memory Summit 2016 spielten die Storage-Anbieter mit den Muskeln. Die Branche zeigt sich stark und energisch.

Auf dem jährlichen Event Flash Memory Summit 2016 in Santa Clara, Kalifornien zeigte sich wieder einmal die Dynamik der Storage Branche. 

Samsung möchte Vorsprung bewahren

Samsung zeigte die vierte Generation seiner Flash NAND 3D Speicher. Sie beruht auf 64 NAND TLC Zellen (Vorgänger 48 Zellen). Dies erlaubt nicht nur eine Kapazitäts-, sondern auch eine Leistungssteigerung. Die vierte Flash-Generation von Samsung eröffnet den Weg für die PM1643, ein Enterprise-Flash Angebot mit 32 TB, das zum Jahresende die PM1633a ablösen wird, die 15,4 TB vorweisen kann. Die PM 1633a wird derzeit vor allem von NetApp in seinen All-Flash-Arrays verwendet (All-Flash-FAS).

Samsung zeigte außerdem die PCI-Express-Karte PM1735, die nächstes Jahr die PM1725 ersetzen wird. Die PM1735 wird mit acht PCIe Gen4 Kanälen punkten, während die PM1725 noch auf acht PCI Gen3 beruht. Samsung geht bei der PM1735 von einer Datenübertragungszeit von 12 GB/Sekunde aus.

Ein weiterer Pfeil im Köcher von Samsung ist SSD compact im Format M.2 mit vier GB. Der Chip wird mit 34 mm statt vorher 22 mm breiter sein auch etwas länger mit 114 mm statt bisher 110 mm. Die Kapazität steigt auf acht GB. Das neue Format beruht wohl auf den Anforderungen von Kunden wie Facebook, die sich größere Kapazitäten gewünscht haben. Facebook will eigene Speicherkarten für die schnelle Kommunikation in sozialen Netzwerken entwickeln.

Samsung bringt zudem eine neue Speicherart namens Z-NAND. Diese wird zum direkten Wettbewerber von 3DXpoint, das von Intel und Micron getragen wird. Samsung will bis Jahresende Z-NAND mit einer Kapazität von einem TB herausbringen. Im nächsten Jahr sollen Varianten mit zwei beziehungsweise vier TB folgen.

Micron erweitert 3DXpoint

Angesichts der Attacke von Samsung liegt Micron auch nicht auf der faulen Haut. Die neue SSD Quant X wird auf der Basis von 3DXpoint aufbauen. Laut Micron werden die neuen SSDs eine um den Faktor fünf bis zehn höhere Leistung haben als die aktuelle Generation, die NVMe-Technologie nutzt. Eine SSD Quant X soll einen Datendurchsatz mit einer Schreiblatenz von 20 Mikrosekunden und einer Leselatenz von zehn Mikrosekunden vorweisen können. Sie soll 900.000 IOPs auf der Basis von acht PCI Gen3 Linien liefern.

Erstmals hat Micron auch Preisangaben gemacht. Die neuen Quant X Speicher sollen vier- bis fünfmal teurer werden als ihre Vorgänger. Kommerziell verfügbar sein sollen sie im zweiten Halbjahr 2017. Das ist etwas später als die entsprechenden Angebote von Intel (Optane), die bereits im ersten Quartal 2017 auf den Markt kommen sollen. Die Intel Ankündigung scheint allerdings etwas optimistisch zu sein, denn alle NVMe Anbieter klagen darüber, wie schwer es im Moment ist, Optane Speicher zu Testzwecken zu erhalten.

Toshiba stellt NAND QLC vor          

Auch Toshiba gibt sich ehrgeizig. Toshiba hat den Ruf, zwar nicht die höchste Kapazität, aber dafür sehr gute Qualität zu liefern. Sie waren zudem die ersten, die NVMe auf zwei Ports liefern konnten.  Die Toshiba ZD6000 wird beispielsweise von DDN, Apeiron und X-IO eingesetzt. Laut Firmenangaben erlauben es neue Produktionsprozesse nun, SSD NAND 3D mit einer Kapazität von 64 bis 100 TB im Zeithorizont 2018 mit einem Preis pro GB zwischen fünf und sieben Cent anzuvisieren. Dies würde die Existenz von Festplatten in Unternehmen in Frage stellen.

Der japanische Anbieter gab zudem an, dass es gelungen sei, neue Zellen namens QLC (Quand Level Cell) zu produzieren, die vier Bits pro Zelle speichern können. Aktuell sind es bei den Vorgängern drei Bits pro Zelle. Diese Technologie erlaubt es Toshiba, künftig SSDs mit einer Kapazität von 100 GB anzubieten, die für Archivzwecke oder Cold Storage geeignet wären. Toshiba spricht derzeit mit Facebook, das großes Interesse an der NAND QLC Technologie hat.

Toshiba hat zudem die Teilnehmer des Flash Memory Summit mit der Ankündigung überrascht, sein eigenes hyperkonvergentes System auf Flash Basis zu entwickeln. Dieses System kombiniert auf zwei Höheneinheiten eine Vielzahl von Nodes auf der Basis von Atom C2550 Prozessorkernen auf einer aktiven Matrix vom Typ Torus 2D mit verschiedenen Flash-Karten mit NAND oder FPGA Xilinx. Das neue System scheint besonders für Analysezwecke geeignet, aber man muss noch die exakten Produktdetails abwarten.        

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Artikel wurde zuletzt im August 2016 aktualisiert

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