Grundlagen der Flash-Technik, Teil 2

Die Grenzen der Fertigungstechnik von SSD- und Flash-Speicherzellen

03.02.2009 | Autor / Redakteur: Hermann Strass / Nico Litzel

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Weiterentwicklung

Üblicherweise geht man von einer Zeitspanne von fünf Quartalen zwischen zwei Flash-Generationen aus. Manchmal wird die Kapazität zwischen den Generationen verdoppelt, manchmal reicht es aber nur für eine Steigerung um 50 Prozent. Die Experten erwarten zunächst noch einige Generationen lang „weiter so“. Für die Zeit danach wird an den oben beschriebenen und weiteren neuen Techniken geforscht.

In den USA wird die Zukunft vermeintlich immer sehr genau eingeschätzt. Laut den Analysten von iSuppli wurden im Jahr 2007 Flash-Produkte im Wert von 14 Milliarden US-Dollar produziert. Der darin enthaltene Anteil für Massenspeicher (Festplattenersatz) auf Halbleiterbasis soll von derzeit „sehr gering“ auf zehn Milliarden US-Dollar im Jahr 2012 steigen (Steve Jeon, CEO of Mtron). Und Marktforscher IDC erwartet, dass der Einsatz von Halbleiterspeichern in mobilen PCs von heute fast null auf 20 Prozent im Jahr 2011 steigen wird.

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Guter Artikel über die Fertigung von NAND-Flashzellen. Habe den Eindruck, dass viele Leute das...  lesen
posted am 04.12.2009 um 16:24 von Unregistriert

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