Halbleiterspeicher treiben Speicherarrays in neue Leistungsbereiche

Flash-SSDs könnten Enterprise-Festplatten ausmanövrieren

05.02.2009 | Autor / Redakteur: Jacob Gsoedl / Rainer Graefen

Zuverlässigkeit: Bei NAND-Flash werden immer wieder Befürchtungen laut, die Hardware könne sich abnutzen. Eine Flash-Zelle erlaubt nur eine begrenzte Zahl an Schreibvorgängen, ehe sie unbrauchbar wird. „100.000 Lebenszyklen ist ein typischer Datenblattwert für eine SLC-Flash-Zelle. Faktisch sind jedoch erheblich mehr Schreibvorgänge möglich, ehe die Zelle abgenutzt ist,“ sagt Bob Wambach, leitender Direktor für das Symmetrix-Produktmarketing bei EMC.

Das ist besser als die Zahl der möglichen Schreibvorgänge bei MLC-Consumer-Flash, stellt aber immer noch eine Einschränkung dar. 100.000 Schreibvorgänge pro Flash-Zelle scheint wenig zu sein, doch Hersteller von Flash-Laufwerken wie STec geben auf ihre Laufwerke über drei Jahre Garantie und weisen höhere MTBF-Werte (zwei bis vier Millionen Stunden) als die Hersteller von Unternehmensfestplatten aus (meist eine Million Stunden).

Das ermöglichen eine Reihe von Techniken. So sitzt beispielsweise vor dem Flash-Speicher ein kleiner DRAM-Cache. Oder ausgeklügelte Algorithmen verteilen gleichmäßig die Schreibvorgänge über alle Zellenblöcke hinweg. Zudem werden die Laufwerke kontinuierlich überwacht und ausgefallene Blöcke ersetzt. So können NAND-Flash-Laufwerke auch die hohen Anforderungen von Großunternehmen erfüllen. Zudem setzen die Hersteller Solid-State-Laufwerke in RAID-Konfigurationen ein, um so die Gefahr eines Datenverlustes zu minimieren.

Leistungsunterschied zwischen Schreiben und Lesen: Die erheblich niedrigere Schreibleistung (verglichen mit der Leseleistung) von Flash-Zellen ist eine weitere Herausforderung. Die Beschränkungen hinsichtlich des Lebenszyklus einer Flash-Zelle und ihre niedrigere Schreibleistung hängen damit zusammen, wie Flash-Zellen beschrieben werden: Der Zugriff erfolgt blockweise. Um einen Block zu schreiben, werden die Zellen des Blocks geöffnet. Der vorhandene Inhalt wird gelöscht und anschließend werden die Zellen wieder geschlossen. Dieser komplizierte Vorgang bremst den Schreibvorgang aus.

Mit Tricks wie beispielsweise einem kleinen DRAM-Cache im Laufwerk versuchen die Hersteller von Flash-Laufwerken, diese Leistungslücke zwischen Lesen und Schreiben zu schließen. „Unsere Zeus-Laufwerke erlauben 18.000 Random-Schreib-IOPS und 52.000 Random-Lese-IOPS,“ erklärt Pat Wilkinson, Vizepräsident für Marketing und Business Development bei STec.

Ergänzendes zum Thema

Highend-Festplatte und Solid State Disk im Vergleich

Kommentar zu diesem Artikel abgeben

Schreiben Sie uns hier Ihre Meinung ...
(nicht registrierter User)



Spamschutz 

Bitte geben Sie das Resultat dieser Rechenaufgabe (Addition) ein:
Kommentar abschicken

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Infos finden Sie unter www.mycontentfactory.de (ID: 2014379)

Willkommen im Special SSD

Liebe Leserinnen und Leser,

 

Nico Litzelherzlich willkommen zum Special „Solid State Disk“ von SearchStorage.de.

 

Wir haben an dieser Stelle  Grundlagenartikel für Sie zusammengestellt, die den Aufbau und die Funktionsweise der Halbleiterspeicher erläutern und dabei ausführlich die Unterschiede der beiden Architekturen Multi Level und Single Level Cell herausarbeiten.

 

So erhalten Sie eine Orientierungshilfe, worauf Sie beim Kauf eines Flash-Speichers achten sollten. Darüber hinaus finden Sie hier übersichtlich und kompakt alle Produktnews zum Thema.

 

Viel Vergnügen beim Lesen wünscht Ihnen

 

Nico Litzel
Redakteur SerachStorage.de