Nichtflüchtiger Speicher mit RAM-Performance
Samsung startet Massenproduktion von Phasenwechselspeichern
28.09.2009 | Redakteur: Nico Litzel
Drei Jahre nach der Vorstellung eines funktionsfähigen Prototypen hat Samsung die Massenproduktion von PRAM (Phase-change Random Access Memory) für den Einsatz in mobilen Endgeräten wie beispielsweise Smartphones aufgenommen.
Phasenwechselspeicher, kurz PRAM, kombinieren die Vorteile von nichtflüchtigen Flash-Speichern mit der Geschwindigkeit von flüchtigem Random Access Memory (RAM). Das Speicherverfahren ist bereits länger bekannt und hatte seinen großen Durchbruch im optischen Bereich bei wiederbeschreibbaren Medien: Die Oberflächenstruktur von wiederbeschreibbaren CD-, DVD- und BD-Medien wechselt durch Laserbestrahlung von kristallin nach amorph, sodass sich die optischen Eigenschaften der Oberfläche verändern.
In Samsungs PRAMs ändert sich hingegen der elektrische Widerstand in Abhängigkeit davon, ob das Speichermaterial (eine sogenannte Chalkogenid-Legierung) in amorpher (hoher Widerstand) oder in kristalliner Form (niedriger Widerstand) vorliegt.
PRAMs sind nicht nur schneller als Flash-Speicher, sondern verbrauchen darüber hinaus auch weniger Energie als diese. Daher bietet sich der Einsatz von Phasenwechselspeichern zunächst in Smartphones und vergleichbaren mobilen Endgeräten an, so das Unternehmen.
Herstellerangaben zufolge können die 512-Megabit-PRAMs 64 Kiloworte in 80 Millisekunden löschen – zehnmal schneller als NOR-Flash. Fünf-Megabyte-Segmente werden hingegen siebenmal schneller als bei NOR-Flash gelöscht. Durch den geringen Energieverbrauch der PRAMs soll sich die Akkulebensdauer eines Smartphones um 20 Prozent erhöhen.
Momentan werden die PRAMs in einem 60-Nanometer-Prozess gefertigt. Feinere Strukturen werden laut Samsung derzeit erforscht, um die Phasenwechselspeicher auch in weiteren Bereichen einsetzen zu können. Am Erfolg des neuen Speichertyps hat der koreanische Hersteller indes keinen Zweifel: „Wir gehen davon aus, dass das künftig eines unserer Hauptprodukte werden wird“, so Sei-Jin Kim, Vizepräsident der bei Samsungs Speichersparte angesiedelten Mobile Memory Planning and Enabling Group.
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