29.07.2008 | Autor / Redakteur: Peter Hempel / Florian Karlstetter
Flash-Chips erreichen im Vergleich zu ihren rotierenden Speicherpendants wesentlich mehr Datentransfers pro Watt. Aber geringe Standzeiten und nicht optimierte Dateisysteme verhinderten bisher den Durchbruch bei Enterprise-Anwendungen. Während Samsung Semiconductors den Festspeicher für den 24x7-Dauereinsatz produzieren soll, will Sun sein Dateisystem ZFS für die neuen Anforderungen überarbeiten.
Sun Microsystems hatte bereits vor kurzem angekündigt, zukünftig bei Speicheranwendungen auf Ebene 0 (Tier 0) die Solid State Disk als Speichermedium einzuführen. Zur Umsetzung dieses Plans hat sich Sun mit dem führenden Halbleiterhersteller Samsung Semiconductors zusammengeschlossen. Der taiwanische Produzent von NAND-Flash-ICs gab seinerseits bekannt, dass gemeinsam an einem SLC-Chip (Single-Level-Cell) geforscht wird, der fünfmal höhere Standzeiten beim Schreib-/Lesezugriff bieten kann als marktgängige Produkte.
Um 50.000 Schreib- und Lesezyklen pro Zelle garantieren zu können, mussten beide Parteien die Speicherkapazität der Chips auf acht Gigabit reduzieren. Das soll aber keine Einschränkungen bei der Geschwindigkeit oder dem Stromverbrauch zur Folge haben. Samsung spricht vom hundertfachen an IOPS (Input/Output operations per Second) pro Watt gegenüber konventionellen Festplatten. Das würde etwa 15.000 bis 30.000 IOPS bedeuten. Daher sollen die SSDs vor allem an zugriffskritischen Stellen der Speicherhierarchie eingesetzt werden.
Besonders in Verbindung mit dem Dateisystem ZFS verspricht Sun Microsystems mit den „Ultra Endurance“ SSD-Chips eine vielfach höhere Performance als mit herkömmlichen Festplatten. Konkrete Termine für Serienprodukte oder erste Prototypen nannten beide Hersteller nicht.
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